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STMicroelectronics STB45N50DM2AG

Numéro de pièce MFG
STB45N50DM2AG
quantité disponible
31700 Pièces
Prix de référence
USD 2.5604
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 500V 35A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STB45N50DM2AG.pdf
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STB45N50DM2AG Caractéristiques

Référence fabricant STB45N50DM2AG
Numéro de pièce future FT-STB45N50DM2AG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STB45N50DM2AG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D2PAK
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB45N50DM2AG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STB45N50DM2AG-FT

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