maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STD27N3LH5
Référence fabricant | STD27N3LH5 |
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Numéro de pièce future | FT-STD27N3LH5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | STripFET™ V |
STD27N3LH5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 27A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±22V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 30W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD27N3LH5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD27N3LH5-FT |
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XC5VLX30-1FF676I
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AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE55F29C6
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