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Référence fabricant | STB80NF55-06-1 |
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Numéro de pièce future | FT-STB80NF55-06-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | STripFET™ II |
STB80NF55-06-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 189nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB80NF55-06-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STB80NF55-06-1-FT |
CSD17318Q2
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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APA600-BG456I
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Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
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Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation