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Texas Instruments CSD25213W10

Numéro de pièce MFG
CSD25213W10
quantité disponible
81920 Pièces
Prix de référence
USD 0.10164
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD25213W10 Caractéristiques

Référence fabricant CSD25213W10
Numéro de pièce future FT-CSD25213W10
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD25213W10 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 478pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 4-DSBGA (1x1)
Paquet / caisse 4-UFBGA, DSBGA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD25213W10 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD25213W10-FT

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