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STMicroelectronics STB7ANM60N

Name: STB7ANM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB7ANM60N
Price: 1.25664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (591 reviews)

Numéro de pièce MFG: STB7ANM60N

quantité disponible: 80520 Pièces

Prix de référence: USD 1.25664

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STB7ANM60N.pdf

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STB7ANM60N Caractéristiques

Référence fabricant	STB7ANM60N
Numéro de pièce future	FT-STB7ANM60N
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
STB7ANM60N Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	363pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB7ANM60N Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STB7ANM60N-FT

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