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Référence fabricant | STV160NF02LT4 |
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Numéro de pièce future | FT-STV160NF02LT4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | STripFET™ II |
STV160NF02LT4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 210W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 10-PowerSO |
Paquet / caisse | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STV160NF02LT4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STV160NF02LT4-FT |
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