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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF

Numéro de pièce MFG
SSM6L09FUTE85LF
quantité disponible
26140 Pièces
Prix de référence
USD 0.08208
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SSM6L09FUTE85LF.pdf
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SSM6L09FUTE85LF Caractéristiques

Référence fabricant SSM6L09FUTE85LF
Numéro de pièce future FT-SSM6L09FUTE85LF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SSM6L09FUTE85LF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N and P-Channel
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur US6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6L09FUTE85LF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSM6L09FUTE85LF-FT

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