maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SS8PH10HM3_A/H
Référence fabricant | SS8PH10HM3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-SS8PH10HM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
SS8PH10HM3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS8PH10HM3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS8PH10HM3_A/H-FT |
1N4448WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel