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Référence fabricant | BAS170WS-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS170WS-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS170WS-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 70mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 70V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS170WS-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS170WS-G3-08-FT |
MUR140-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR140-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR160-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR160-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel