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Référence fabricant | SS19HM2G |
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Numéro de pièce future | FT-SS19HM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SS19HM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS19HM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS19HM2G-FT |
HS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel