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Référence fabricant | RS1DHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-RS1DHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RS1DHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1DHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1DHM2G-FT |
SS12HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL12 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
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XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
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EP1S10F484C5N
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EP1S10F484C6
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LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
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EP3C55F780C7
Intel