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Référence fabricant | SRAS830 MNG |
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Numéro de pièce future | FT-SRAS830 MNG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SRAS830 MNG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAS830 MNG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRAS830 MNG-FT |
SFAF807GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF808GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF10J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF12JD C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF12JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF12JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF5J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF8JD C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF8JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel