maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SFAF808GHC0G
Référence fabricant | SFAF808GHC0G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SFAF808GHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SFAF808GHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFAF808GHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SFAF808GHC0G-FT |
MBRF2090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF5100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF5100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF5150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF5150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF5200 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF5200HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF7100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF7100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF7150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel