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Référence fabricant | SRA1620HC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SRA1620HC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SRA1620HC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA1620HC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRA1620HC0G-FT |
1SS416,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS417,L3M
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1SS417CT,L3F
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1SS416CT,L3F
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DSR01S30SC,L3F
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DSF01S30SC(TPL3)
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DSR01S30SC(TPL3)
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XBS013S16R-G
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XBS013S15R-G
Torex Semiconductor Ltd
XBS024S15R-G
Torex Semiconductor Ltd
XCS40XL-5PQG208C
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XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
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A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
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EP2SGX90EF1152C3ES
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LFE2M100SE-5FN900I
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5AGXBB7D4F35C4N
Intel