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Référence fabricant | XBS013S15R-G |
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Numéro de pièce future | FT-XBS013S15R-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
XBS013S15R-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 2ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacité @ Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBS013S15R-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | XBS013S15R-G-FT |
RGP20JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15G-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
TBAT54,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS187,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS427,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200HC-6TG100I
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XC3S200-5VQ100C
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10M04SAU169C8G
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10AX027H4F35E3LG
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10M50SAE144I7G
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XC6SLX4-2CSG225C
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XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
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EPF10K50EQC208-1N
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