maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SR315HA0G
Référence fabricant | SR315HA0G |
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Numéro de pièce future | FT-SR315HA0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SR315HA0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR315HA0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SR315HA0G-FT |
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR301G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR302G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR303G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR304G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR305G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR306G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR307G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER301G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel