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Référence fabricant | 31DF6 R0G |
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Numéro de pièce future | FT-31DF6 R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
31DF6 R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
31DF6 R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 31DF6 R0G-FT |
SR206HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210 R0G
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SR215 R0G
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Taiwan Semiconductor Corporation
SR220HR0G
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1N5392G A0G
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A3P125-2PQ208I
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Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel