maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SQJ840EP-T1_GE3
Référence fabricant | SQJ840EP-T1_GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SQJ840EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ840EP-T1_GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 46W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ840EP-T1_GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQJ840EP-T1_GE3-FT |
SUM90N04-3M3P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N06-4M4P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N06-5M5P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N08-4M8P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N08-6M2P-E3
Vishay Siliconix
SUM90N08-7M6P-E3
Vishay Siliconix
SUM90P10-19-E3
Vishay Siliconix
SUM90P10-19L-E3
Vishay Siliconix
2N6660-2
Vishay Siliconix
2N6660-E3
Vishay Siliconix
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel