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Vishay Siliconix SQJ412EP-T1_GE3

Name: SQJ412EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ412EP-T1_GE3
Price: 1.008064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (314 reviews)

Numéro de pièce MFG: SQJ412EP-T1_GE3

quantité disponible: 69390 Pièces

Prix de référence: USD 1.008064

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fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SQJ412EP-T1_GE3.pdf

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SQJ412EP-T1_GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SQJ412EP-T1_GE3
Numéro de pièce future	FT-SQJ412EP-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJ412EP-T1_GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5950pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8
Paquet / caisse	PowerPAK® SO-8
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJ412EP-T1_GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SQJ412EP-T1_GE3-FT

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