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Vishay Siliconix SUM60N02-3M9P-E3

Name: SUM60N02-3M9P-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM60N02-3M9P-E3
Availability: InStock
Rating: 4.8 (602 reviews)

Numéro de pièce MFG: SUM60N02-3M9P-E3

quantité disponible: 96170 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SUM60N02-3M9P-E3.pdf

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SUM60N02-3M9P-E3 Caractéristiques

Référence fabricant	SUM60N02-3M9P-E3
Numéro de pièce future	FT-SUM60N02-3M9P-E3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET®
SUM60N02-3M9P-E3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5950pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.75W (Ta), 120W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263 (D2Pak)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUM60N02-3M9P-E3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SUM60N02-3M9P-E3-FT

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