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Référence fabricant | SQCB7M1R2BAJME |
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Numéro de pièce future | FT-SQCB7M1R2BAJME |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SQ |
SQCB7M1R2BAJME Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1.2pF |
Tolérance | ±0.1pF |
Tension - nominale | 500V |
Coéfficent de température | M |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1111 (2828 Metric) |
Taille / Dimension | 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.102" (2.59mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQCB7M1R2BAJME Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQCB7M1R2BAJME-FT |
SQCB5C104MATME
AVX Corporation
SQCB7A100FAJWE
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XC6SLX100T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG208M
Microsemi Corporation
A14V25A-VQG100C
Microsemi Corporation
EP1AGX20CF484C6N
Intel
5SGXEB6R3F40C2LN
Intel
10M02SCE144I7G
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2M13C7N
Intel
EPF10K40RC208-3
Intel
EP1S80F1020C6
Intel