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Référence fabricant | SPP80N06S2L-07 |
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Numéro de pièce future | FT-SPP80N06S2L-07 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
SPP80N06S2L-07 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4210pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 210W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-1 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP80N06S2L-07 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPP80N06S2L-07-FT |
IPP80N08S406AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P405AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P405AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P407AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L06AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel