maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPP80P04P405AKSA1
Référence fabricant | IPP80P04P405AKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPP80P04P405AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPP80P04P405AKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-1 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80P04P405AKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPP80P04P405AKSA1-FT |
IPP60R190E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R1K4C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R250CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R330P6XKSA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel