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Référence fabricant | SPP42N03S2L13 |
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Numéro de pièce future | FT-SPP42N03S2L13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
SPP42N03S2L13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 42A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 37µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-1 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP42N03S2L13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPP42N03S2L13-FT |
IPP80N06S2L06AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N06S2L06AKSA2
Infineon Technologies
IPP80N06S2L07AKSA2
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IPP80N06S2L09AKSA2
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IPP80N06S2L11AKSA1
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IPP80N06S2L11AKSA2
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IPP80N06S2LH5AKSA1
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IPP80N06S2LH5AKSA2
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IPP80N06S3-05
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
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AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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