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Infineon Technologies IPP80N06S2L09AKSA1

Name: IPP80N06S2L09AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP80N06S2L09AKSA1
Availability: InStock
Rating: 5.0 (412 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPP80N06S2L09AKSA1

quantité disponible: 76610 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPP80N06S2L09AKSA1.pdf

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IPP80N06S2L09AKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPP80N06S2L09AKSA1
Numéro de pièce future	FT-IPP80N06S2L09AKSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPP80N06S2L09AKSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 125µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2620pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3-1
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP80N06S2L09AKSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPP80N06S2L09AKSA1-FT

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