maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPP50R399CPXKSA1
Référence fabricant | IPP50R399CPXKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPP50R399CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPP50R399CPXKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP50R399CPXKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPP50R399CPXKSA1-FT |
IPP06CN10N G
Infineon Technologies
IPP06CN10NGXKSA1
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IPP06CNE8N G
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IPP06N03LA
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IPP07N03LB G
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XC6SLX45-3FG676C
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XC4005L-5PQ208C
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Intel