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Infineon Technologies SPD04P10PLGBTMA1

Name: SPD04P10PLGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04P10PLGBTMA1
Price: 0.262344 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (496 reviews)

Numéro de pièce MFG: SPD04P10PLGBTMA1

quantité disponible: 51440 Pièces

Prix de référence: USD 0.262344

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: SIPMOS® MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SPD04P10PLGBTMA1.pdf

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SPD04P10PLGBTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	SPD04P10PLGBTMA1
Numéro de pièce future	FT-SPD04P10PLGBTMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SIPMOS®
SPD04P10PLGBTMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 380µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	372pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	38W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPD04P10PLGBTMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SPD04P10PLGBTMA1-FT

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