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Infineon Technologies SPB21N10 G

Name: SPB21N10 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB21N10 G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (674 reviews)

Numéro de pièce MFG: SPB21N10 G

quantité disponible: 98090 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SPB21N10 G.pdf

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SPB21N10 G Caractéristiques

Référence fabricant	SPB21N10 G
Numéro de pièce future	FT-SPB21N10 G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SIPMOS®
SPB21N10 G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 44µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	38.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	865pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	90W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB21N10 G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SPB21N10 G-FT

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