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Référence fabricant | NP36P04KDG-E1-AY |
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Numéro de pièce future | FT-NP36P04KDG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NP36P04KDG-E1-AY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 36A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP36P04KDG-E1-AY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NP36P04KDG-E1-AY-FT |
IRL3714STR
Infineon Technologies
IRL3714STRL
Infineon Technologies
IRL3714STRLPBF
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IRL3714STRR
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IRL3714STRRPBF
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IRL3714ZS
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IRL3714ZSPBF
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IRL3714ZSTRL
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IRL3714ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRL3714ZSTRR
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel