maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SP8M7TB
Référence fabricant | SP8M7TB |
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Numéro de pièce future | FT-SP8M7TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SP8M7TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A, 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SP8M7TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SP8M7TB-FT |
SI4818DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4818DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4830ADY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4830ADY-T1-GE3
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SI4830CDY-T1-E3
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SI4830CDY-T1-GE3
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SI4834BDY-T1-E3
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SI4834CDY-T1-E3
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SI4834CDY-T1-GE3
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XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation