maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SP8J4TB
Référence fabricant | SP8J4TB |
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Numéro de pièce future | FT-SP8J4TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SP8J4TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SP8J4TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SP8J4TB-FT |
SI4542DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4542DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4544DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4544DY-T1-GE3
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SI4561DY-T1-E3
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SI4561DY-T1-GE3
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SI4562DY-T1-E3
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SI4563DY-T1-E3
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SI4563DY-T1-GE3
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A40MX04-VQG80
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Xilinx Inc.
EP3C5U256C6
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5SGXEA9N3F45C2N
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Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
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