maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI4562DY-T1-E3
Référence fabricant | SI4562DY-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI4562DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4562DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4562DY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4562DY-T1-E3-FT |
SI4963BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SP8K3TB
Rohm Semiconductor
SH8K32TB1
Rohm Semiconductor
SI4288DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4904DY-T1-E3
Vishay Siliconix
CWDM305ND TR13
Central Semiconductor Corp
SH8J65TB1
Rohm Semiconductor
SH8J66TB1
Rohm Semiconductor
SH8K1TB1
Rohm Semiconductor
SH8M3TB1
Rohm Semiconductor