maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SH8J65TB1
Référence fabricant | SH8J65TB1 |
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Numéro de pièce future | FT-SH8J65TB1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SH8J65TB1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8J65TB1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SH8J65TB1-FT |
AO8807
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO8810#A
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AO8822#A
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XC3S1400A-5FG676C
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APA1000-FG896A
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5SGXEA5N3F45I3LN
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Xilinx Inc.
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