maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AO8807
Référence fabricant | AO8807 |
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Numéro de pièce future | FT-AO8807 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO8807 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 6V |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO8807 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO8807-FT |
BSL207NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL214NH6327XTSA1
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BSL214NL6327HTSA1
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BSL215CH6327XTSA1
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BSL306NL6327HTSA1
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BSL308CL6327HTSA1
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BSL308PEH6327XTSA1
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Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
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EP1C6Q240C8
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