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Référence fabricant | SN7002N E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-SN7002N E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
SN7002N E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 26µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SN7002N E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SN7002N E6327-FT |
BSS169L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS205NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS215PL6327HTSA1
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BSS306NL6327HTSA1
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BSS308PEL6327HTSA1
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BSS314PEL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS316NH6327XTSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel