maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / SMSA7621-060
Référence fabricant | SMSA7621-060 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SMSA7621-060 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SMSA7621-060 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 2V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.18pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 75mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TA) |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0201 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMSA7621-060 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMSA7621-060-FT |
BAT1706WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAP64-04W-TP
Micro Commercial Co
BAR6304WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6406WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR 64-05W H6433
Infineon Technologies
BAR6304WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6305WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6306WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6404WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAR6405WE6327BTSA1
Infineon Technologies
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel