maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR6306WE6327HTSA1
Référence fabricant | BAR6306WE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR6306WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR6306WE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - 1 Pair Common Anode |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.3pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT323-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6306WE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR6306WE6327HTSA1-FT |
HSMS-2700-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2700-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2700-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2702-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2702-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2702-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2702-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2800-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2800-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2800-TR1G
Broadcom Limited
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel