maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HSMS-2700-TR2G
Référence fabricant | HSMS-2700-TR2G |
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Numéro de pièce future | FT-HSMS-2700-TR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-2700-TR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 15V |
Courant - Max | 350mA |
Capacité @ Vr, F | 6.7pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 650 mOhm @ 100mA, 1MHz |
Dissipation de puissance (max) | 350mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2700-TR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-2700-TR2G-FT |
BAR66E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR6704E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1504RE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1705E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6806E6327HTSA1
Infineon Technologies
HBAT-5400-BLKG
Broadcom Limited
HBAT-5400-TR1
Broadcom Limited
HBAT-5400-TR1G
Broadcom Limited
HBAT-5400-TR2G
Broadcom Limited
HBAT-5402-BLKG
Broadcom Limited
XC4005XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel