maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT1705E6327HTSA1
Référence fabricant | BAT1705E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT1705E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT1705E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 1 Pair Common Cathode |
Tension - Inverse de crête (Max) | 4V |
Courant - Max | 130mA |
Capacité @ Vr, F | 0.75pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT1705E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT1705E6327HTSA1-FT |
HSMS-280K-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280L-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280L-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280L-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280M-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280M-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280M-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280N-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280N-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280N-TR2G
Broadcom Limited
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation