maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / SMS7621-060
Référence fabricant | SMS7621-060 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SMS7621-060 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SMS7621-060 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 2V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.18pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 75mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TA) |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0201 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMS7621-060 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMS7621-060-FT |
BAT6804WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6306WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1706WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAP64-04W-TP
Micro Commercial Co
BAR6304WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6406WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR 64-05W H6433
Infineon Technologies
BAR6304WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6305WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6306WE6327HTSA1
Infineon Technologies
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-5FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2
Intel
XC7A200T-2FB676I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
EP4SGX110FF35C4N
Intel