maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SMCJ8.5AHE3/57T
Référence fabricant | SMCJ8.5AHE3/57T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SMCJ8.5AHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCJ8.5AHE3/57T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8.5V |
Tension - Panne (Min) | 9.44V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 14.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 104.2A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMCJ) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCJ8.5AHE3/57T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMCJ8.5AHE3/57T-FT |
SMCJ24A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ24A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ24A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ24AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ24AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ26A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ26A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ26AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ28A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ28A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V40-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG68I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel
EPF10K50EQC240-3
Intel