maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SMCJ26A-M3/9AT
Référence fabricant | SMCJ26A-M3/9AT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SMCJ26A-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
SMCJ26A-M3/9AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 26V |
Tension - Panne (Min) | 28.9V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 42.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 35.6A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCJ26A-M3/9AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMCJ26A-M3/9AT-FT |
SMCJ100A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ100A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ100AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ100AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ10A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ10A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ10A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ10AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ10AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ110A-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel