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Référence fabricant | SMCJ10A-M3/9AT |
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Numéro de pièce future | FT-SMCJ10A-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
SMCJ10A-M3/9AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 17V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 88.2A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCJ10A-M3/9AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMCJ10A-M3/9AT-FT |
SM15T100AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T10A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T10A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T10A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T10AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T10AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T12A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T12A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T12A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM15T12AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation