maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S40HE3/2D
Référence fabricant | SM8S40HE3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S40HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S40HE3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 40V |
Tension - Panne (Min) | 44.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 71.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 92.4A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S40HE3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S40HE3/2D-FT |
SM8S10HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TI144-4N
Intel
M2GL050-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SGES
Intel
5SGSMD3H1F35C2N
Intel