maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S30HE3/2D
Référence fabricant | SM8S30HE3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S30HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S30HE3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 30V |
Tension - Panne (Min) | 33.3V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 53.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 123A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S30HE3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S30HE3/2D-FT |
SM6S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013XL-09HT144C
Xilinx Inc.
LCMXO256C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F17C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP10C-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel