maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM6S30A-E3/2D
Référence fabricant | SM6S30A-E3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM6S30A-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PAR® |
SM6S30A-E3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 30V |
Tension - Panne (Min) | 33.3V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 48.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 95A |
Puissance - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S30A-E3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM6S30A-E3/2D-FT |
SM5S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-6000HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S24-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S24A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S24AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel