maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S28AHE3_A/I
Référence fabricant | SM8S28AHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S28AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S28AHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 28V |
Tension - Panne (Min) | 31.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 45.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 145A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S28AHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S28AHE3_A/I-FT |
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel