maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S28AHE3/2E
Référence fabricant | SM8S28AHE3/2E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SM8S28AHE3/2E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S28AHE3/2E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 28V |
Tension - Panne (Min) | 31.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 45.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 145A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S28AHE3/2E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S28AHE3/2E-FT |
SM6S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
5SGXEA5N3F45I3LN
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
XC5VLX110T-2FF1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel