maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S24AHE3/2D
Référence fabricant | SM8S24AHE3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S24AHE3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S24AHE3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 24V |
Tension - Panne (Min) | 26.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 38.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 170A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S24AHE3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S24AHE3/2D-FT |
SM6S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX25-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2N
Intel