maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S24AHE3/2D
Référence fabricant | SM8S24AHE3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S24AHE3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S24AHE3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 24V |
Tension - Panne (Min) | 26.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 38.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 170A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S24AHE3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S24AHE3/2D-FT |
SM6S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
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10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
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EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
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LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation