maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM6S20HE3/2D
Référence fabricant | SM6S20HE3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM6S20HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S20HE3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 20V |
Tension - Panne (Min) | 22.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 35.8V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 128A |
Puissance - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S20HE3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM6S20HE3/2D-FT |
SM5S15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S15HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel